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ÀÛ¼ºÀÚ ´º½º °ü¸®ÀÚ ÀÛ¼ºÀÏ 2017. 07. 28 Á¶È¸¼ö 901
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³ª³ë·¼ÒÀç ¿øõ±â¼ú°³¹ß»ç¾÷Àº ³ª³ë·¼ÒÀç ºÐ¾ßÀÇ ¼±µµÀû ±â¼ú ¹ß±¼À» ÅëÇØ ¹Ì·¡»çȸ ±â¼ú¼ö¿ä ´ëÀÀ ¹× ³ª³ë±â¼úÀÇ »ê¾÷È­¸¦ ÃËÁøÇϱâ À§ÇØ ÃßÁøµÇ°í ÀÖ´Ù.

±è ±³¼öÆÀÀº ±âÁ¸ ¸ð½ºÆê(MOSFET) ´ëºñ Àü·Â ¼Ò¸ð¸¦ Å©°Ô ÁÙÀÏ °ÍÀ¸·Î ±â´ëµÇ´Â Â÷¼¼´ë ÃÊÀýÀü ‘Åͳθµ Àü°èÈ¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ(TFET, Tunneling Field Effect Transistor)’ ¼ÒÀç °³¹ß ¿¬±¸¸¦ ÁøÇàÇÏ°Ô µÈ´Ù.

ÃÑ°ý ¹× ¼¼ºÎ ¿¬±¸Ã¥ÀÓÀÚÀÎ ±è´ëÇö ±³¼ö´Â “¹«¼± ¹× ¸ð¹ÙÀÏ ±â±â ¼ö¿ä ±ÞÁõÀ¸·Î ÃÊÀúÀü·Â ¼ÒÀÚ °³¹ß¿¡ ´ëÇÑ ¿ä±¸°¡ ´Ã¾î°¡°í ÀÖ´Ù. À̹ø °úÁ¦´Â È­ÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼¸¦ ÀÌ¿ëÇØ Â÷¼¼´ë CMOS(»óº¸Çü ±Ý¼Ó»êÈ­¹ÝµµÃ¼) ¼ÒÀÚ ±¸ÇöÀ» À§ÇÑ À¯¸ÁÇÑ ±¸Á¶ Áß ÇϳªÀÎ ³ª³ë¼± TFET¸¦ °³¹ßÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î, ¼º°ø ½Ã Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ±¸ÇöÀ» À§ÇÑ ¿øõ ±â¼úÀ» È®º¸ÇÒ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î ±â´ëµÈ´Ù.”°í ¹àÇû´Ù. 





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573  2024 °æºÏ´ëÇб³ ½Å³àÀ½¾Çȸ  ´º½º °ü¸®ÀÚ 28 2023. 12. 29  
572  ¿¹ºñ±³»ç ´ë»ó ¡®GTU 2023 µ¿°è ÇØ¿Ü ±³À°½Ç½À¡¯ ÁøÇà  ´º½º °ü¸®ÀÚ 1522 2023. 03. 02  
571  °æºÏ´ë ¾àÇдëÇÐ, 4³â ¿¬¼Ó ±¹½Ã Àü¿ø ÇÕ°Ý  ´º½º°ü¸®ÀÚ 1884 2018. 02. 19  
570  °æºÏ´ë, ½Ãµµ¹Î°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ½Å³âÀ½¾Çȸ ¼ºÈ²¸®¿¡ °³ÃÖ  ´º½º°ü¸®ÀÚ 1744 2018. 01. 17  
569  ±è±Ô¸¸ °æºÏ´ë ±³¼ö, Çѱ¹Á¤¹Ð°øÇÐȸ Çмú»ó ¼ö»ó  ´º½º°ü¸®ÀÚ 2037 2017. 12. 27  
568  °æºÏ´ë ¾öÅÂÁø ±³¼öÆÀ »õ·Î¿î ÇüÅÂÀÇ Çѱ¹Çü ÆÞÇÁ»ý»ê °øÁ¤ °³¹ß  ´º½º°ü¸®ÀÚ 2352 2017. 12. 08  
567  ÃÖÈñ°æ¡¤À̽Ãö ±³¼ö, 2017³â Çѱ¹µµ½ÃÇàÁ¤ÇÐȸ ÃÖ¿ì¼ö ³í¹®»ó ¼ö»ó  ´º½º°ü¸®ÀÚ 3022 2017. 12. 07  
566  °æºÏ´ë 3¸í, 2017 ´ëÇѹα¹ ÀÎÀç»ó ¼ö»ó  ´º½º°ü¸®ÀÚ 5838 2017. 12. 06  
565  °æºÏ´ë ¹Ú¼ø±â ±³¼ö, Â÷¼¼´ë¹ÙÀÌ¿À±×¸°21»ç¾÷ ´ÜÀå ¼±Á¤  ´º½º°ü¸®ÀÚ 2190 2017. 11. 29  
564  °æºÏ´ë À̱⿵ ±³¼ö, Çѱ¹Ç¥¸é°øÇÐȸ ½ÅÁøÇ¥¸é°øÇÐÀÚ»ó ¼ö»ó  ´º½º°ü¸®ÀÚ 1570 2017. 11. 29  
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